Ovo se nastavlja na njihov prvi 3D TSV DDR4 DRAM od 64GB koji je nastao 2014. godine. Rađena je pomoću njihovog registriranog TSV ("through silicon via") dual inline memorijskog modula. Ova tehnologija pakiranja čipova, prema riječima kompanije, omogućava puno više kapacitete memorije, zajedno s boljom energetskom učinkovitošću i brzinom.
Tako su predstavili novi TSV DRAM modul od 128 GB, koji donosi najveći kapacitet i energetsku učinkovitost od bilo kojeg DRAM modula danas, navodi službeno izvješće. 128GB TSV DDR4 RDIMM sastoji se od 144 DDR4 čipova, složenih u 36 4 GB DRAM paketa. Svaki od njih ima četiri 20nm čipove ugrađene pomoću TSV tehnologije.
Rađen za servere i podatkovne centre, ova memorija može dostići brzinu do 2,400 Mbps i imati 50 posto manju potrošnju, u odnosu na prijašnje najveće DRAM module od 64 GB.
Najavili su i izdavanje cijele linije novih TSV DRAM modula u sljedećih nekoliko tjedana, uključujući i 128 GB LRDIMM-ove. Objavili su i kako rade na modulima namijenjenim poslovnim serverima koji će imati brzinu transfera podataka do 2,667 Mbps i 3,200 Mbps.
