Samsung ubrzano radi na pomicanju granica u tehnologiji, predstavivši nedavno proizvodnju bio-procesora, a sada već i novu generaciju HBM memorije. Ovo sučelje koristi se u računalstvu visokih performansi, kod naprednih i zahtjevnih grafičkih i mrežnih sustava pa do poslovnih servera.
U službenom priopćenju navodi se kako će nova generacija HBM sučelja pružiti i do sedam puta veću brzinu nego trenutne performanse DRAM-a. To će omogućiti bolju i bržu responzivnost kod težih i kompleksnijih zadataka, kao što su paralelno računalstvo, strojno učenje i renderiranje grafike.
HBM2 DRAM 4 GB memorija rađena je na kompanijinoj 20-nanometarskoj procesnoj tehnologiji i naprednom HBM dizajnu čipa. Novi DRAM paket sadrži 256 GBps i bolju energetsku učinkovitost, tako da duplicira bandwith po wattu od 4GB GDDR5 baziranih solucija. Najavili su i rađenje memorije od 8 GB unutar ove godine.
Nova memorija označava novi napredak u TSV DRAM tehnologiji, nakon što je Samsung prošle godine predstavio 128GB 3D TSV DDR4 dual inline memorijski modul. 128GB TSV DDR4 RDIMM sastoji se od 144 DDR4 čipova, složenih u 36 4 GB DRAM paketa. Svaki od njih ima četiri 20nm čipove ugrađene pomoću TSV tehnologije.
