Krenula je masovna proizvodnja prvog industrijskog 10-nanometarskog 8 GB DDR4 DRAM čipa i modula. Vrlo brzo nova generija memorije postaje raširena u svijetu IT mreža i osobnih računala, a Samsungova masovna proizvodnja uvelike će ubrzati taj proces.
Samsungova 10 nm proizvodnja DRAM-a predstavlja još jedno važno postignuće za kompaniju koja je 2014. masovno počela proizvoditi 20 nm 4 GB DDR3 memorije.
Predsjednik poslovanja memorijama u Samsung Electronicsu, Young-Hyun Jun, izjavio je kako u bližoj budućnosti namjeravaju lansirati novu generaciju 10 nm mobilnih DRAM proizvoda s višim kapacitetima i brzinama kojim će unparijediti ultra-HD tržište smartfona.
U službenom priopćenju navodi se kako njihov 10 nm 8 GB DDR4 DRAM značajno poboljšava produktivnost pločice za 30 posto, u odnosu na 20 nm 8 GB DDR4 DRAM. Također, novi DRAM ima podršku za prijenos podataka od 3200 Mbps, što je više od 30 posto nego 20 nm DDR4 DRAM. Novi moduli znatno su i energetski učinkovitiji, jer troše 10 do 20 posto manje energije u usporedbi sa 20 nm modelom. Novu 10 nm strukturu kompanija je stvorila koristeći se zakonom zaštićenom tehnologijom dizajna strujnih krugova i četverostrukog uzorka litografije.
Razlika između NAND flash memorije i DRAM-a je u tome što NAND u svojoj stanici ima jedino tranzistor, dok svaka DRAM stanica treba kondenzator i tranzistor koji su spojeni. Kompanija planira predstaviti široki raspon 10 nm DDR4 modula s kapacitetima od 4 GB za prijenosnike, pa sve do 128 GB za poslovne servere.
Našu hardversku temu DDR4 vs. DDR3 možete pročitati ovdje.
