Samsung počinje s proizvodnjom HBM2 memorije od 4 GB

Samsung počinje s proizvodnjom HBM2 memorije od 4 GB

Južnokorejski Samsung Electronics najavio je početka masovne proizvodnje prvog 4 GB baziranog na drugoj generaciji HBM2 sučelja.

Samsung ubrzano radi na pomicanju granica u tehnologiji, predstavivši nedavno proizvodnju bio-procesora, a sada već i novu generaciju HBM memorije. Ovo sučelje koristi se u računalstvu visokih performansi, kod naprednih i zahtjevnih grafičkih i mrežnih sustava pa do poslovnih servera.

U službenom priopćenju navodi se kako će nova generacija HBM sučelja pružiti i do sedam puta veću brzinu nego trenutne performanse DRAM-a. To će omogućiti bolju i bržu responzivnost kod težih i kompleksnijih zadataka, kao što su paralelno računalstvo, strojno učenje i renderiranje grafike.

HBM2 DRAM 4 GB memorija rađena je na kompanijinoj 20-nanometarskoj procesnoj tehnologiji i naprednom HBM dizajnu čipa. Novi DRAM paket sadrži 256 GBps i bolju energetsku učinkovitost, tako da duplicira bandwith po wattu od 4GB GDDR5 baziranih solucija. Najavili su i rađenje memorije od 8 GB unutar ove godine.

Nova memorija označava novi napredak u TSV DRAM tehnologiji, nakon što je Samsung prošle godine predstavio 128GB 3D TSV DDR4 dual inline memorijski modul. 128GB TSV DDR4 RDIMM sastoji se od 144 DDR4 čipova, složenih u 36 4 GB DRAM paketa. Svaki od njih ima četiri 20nm čipove ugrađene pomoću TSV tehnologije.

 

Ocijeni sadržaj
(0 glasova)

Newsletter prijava


Kako izgleda naš posljednji newsletter pogledajte na ovom linku.

Skeniraj QR Code mobitelom i ponesi ovu stranicu sa sobom

Samsung počinje s proizvodnjom HBM2 memorije od 4 GB - VidiLAB - QR Code Friendly